问：高压MOS和低压MOS是怎么区分的？ 高压的是多少V以上？低压的最多是多少V的？
- 答：1、电压不同
高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。
2、反应速度不同
耐高压的其反应速度比耐低压的MOS管要慢。
mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—、半导体。MOS管的圆肆source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
扩展资核升料：
MOS管这个器件有两个电极，分别是D和源极S，用半导体、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的N/表面复盖一层很薄的（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜改腔老上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。
做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
参考资料来源： - 答：耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的旁弊transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片轿岩（N沟道耗尽型MOS管运帆族）。而P沟道常见的为低压Mos管。
问：耐高压的MOS管与耐低压的MOS管的区别？
- 答：耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使州笑悔两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输升郑入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟册正道常见的为低压Mos管。 - 答：通常耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。
- 答：还真没听过耐低压这一说法 是不是你搞错了 应该是低饱和压降吧 也就是低导通电阻吧！
- 答：你是不是要问高压MOS和低压MOS的区别啊？
问：用于AC-DC开关电源的高压MOS管要怎么选？
- 答：AC-DC开关电源就是通常的开关电源
问题归结为；开关电源的MOS管要怎么选就简单明了
漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
漏极连续工作电流ID，例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A，
漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，0N60的阻抗为0.7Ω。
工作频率即开关冲空宽时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。
这几个条件满足了，基本没问题。
主要参数
1.开启电压VT；·又称阈值电压；亏盯源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;
2. 直流输入电阻RGS：栅源极之间加的电压与栅极电流之比，·特性有时以流过栅极的栅流表示，·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS：在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压；VDS ·ID剧增的原因有下列两个方面:
(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿
(2)漏源极间击穿：MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿散亮通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID - 答：DC-AC电源转换器作用于各种家用电器还是潮流镇启行电子产品，它的输出电压稳定与机御哗械能否正常运行则与元器件中使用的场效应管的质量息息相关。场效应管的质量不达标的话，容易使电器DC-AC电源转换器失控，无旁局法转换电流，进行过电保护等，容易导致电器损坏。飞虹FHP840高压MOS管在电压输出稳定、简化电路设计。
